Applikatioun vum Laser an der Solarbatterfabrikatioun

Am Mee 2022 huet CCTV gemellt datt déi lescht Donnéeën vun der National Energy Administration weisen datt bis elo d'Photovoltaesch Kraaftproduktiounsprojeten am Bau sinn 121 Millioune Kilowatt, an et gëtt erwaart datt déi jährlech Photovoltaikenergieproduktioun nei mam Netz verbonne gëtt. ëm 108 Millioune Kilowatt, eng Erhéijung vun 95,9% am Verglach zum Joer virdrun.

Déi kontinuéierlech Erhéijung vun der globaler PV installéierter Kapazitéit huet d'Applikatioun vun der Laserveraarbechtungstechnologie an der Photovoltaikindustrie beschleunegt.Déi kontinuéierlech Verbesserung vun der Laserveraarbechtungstechnologie huet och d'Notzungseffizienz vun der photovoltaescher Energie verbessert.No relevant Statistiken, huet de globale PV nei installéiert Kapazitéit Maart 130GW am Joer 2020 erreecht, en neien historeschen Héichpunkt.Wärend déi global PV installéiert Kapazitéit en neien Héich erreecht huet, als e grousst allround Produktiounsland, huet China d'PV installéiert Kapazitéit ëmmer en Upward Trend behalen.Zënter 2010 huet d'Ausgab vu Photovoltaikzellen a China 50% vun der globaler Gesamtoutput iwwerschratt, wat e richtege Sënn ass.Méi wéi d'Halschent vun der Welt Photovoltaikindustrie gëtt produzéiert an exportéiert.

Als industriellt Tool ass Laser eng Schlësseltechnologie an der Photovoltaikindustrie.Laser kann eng grouss Quantitéit vun Energie an engem klenge Beräich vun Querschnëtt konzentréieren an et fräiginn, immens der Effizienz vun Energie Notzung verbesseren, sou datt et schwéier Material geschnidde kann.Batterie Fabrikatioun ass méi wichteg an der Photovoltaikproduktioun.Siliziumzellen spillen eng wichteg Roll bei der photovoltaescher Kraaftgeneratioun, egal ob kristallin Siliziumzellen oder Dënnfilm Siliziumzellen.A kristallinem Siliziumzellen gëtt héich-Rengheet Eenkristall / Polykristall a Siliziumwafere fir Batterien geschnidden, a Laser gëtt benotzt fir besser ze schneiden, ze formen an ze schreiwen, an dann d'Zellen ze strecken.

01 Batterie Rand passivation Behandlung

De Schlësselfaktor fir d'Effizienz vun de Solarzellen ze verbesseren ass d'Energieverloscht duerch elektresch Isolatioun ze minimiséieren, normalerweis andeems d'Kante vu Siliziumchips Ätzen a Passivéieren.Den traditionelle Prozess benotzt Plasma fir d'Randisolatioun ze behandelen, awer d'Ätschechemikalien déi benotzt ginn sinn deier a schiedlech fir d'Ëmwelt.Laser mat héijer Energie an héijer Kraaft kann de Rand vun der Zell séier passivéieren an exzessive Kraaftverloscht verhënneren.Mat der Laser geformte Groove gëtt den Energieverloscht, deen duerch de Leckstroum vun der Solarzelle verursaacht gëtt, staark reduzéiert, vun 10-15% vum Verloscht, deen duerch den traditionelle chemesche Ätzprozess verursaacht gëtt, op 2-3% vum Verloscht, deen duerch d'Lasertechnologie verursaacht gëtt. .

02 Arrangéieren a Schreiwen

D'Arrangement vu Siliziumwafere mam Laser ass e gemeinsame Online-Prozess fir automatesch Serieschweißen vu Solarzellen.D'Verbindung vun de Solarzellen op dës Manéier reduzéiert d'Späicherkäschte a mécht d'Batteriestringen vun all Modul méi uerdentlech a kompakt.

03 Schneiden a Schreiwen

Am Moment ass et méi fortgeschratt Laser ze benotzen fir Siliziumwaferen ze kratzen an ze schneiden.Et huet héich Benotzung Genauegkeet, héich Widderhuelung Genauegkeet, stabil Operatioun, séier Vitesse, einfach Operatioun a praktesch Ënnerhalt.

04 Silicon wafer Marking

Déi bemierkenswäert Uwendung vu Laser an der Silizium Photovoltaikindustrie ass Silizium ze markéieren ouni seng Konduktivitéit ze beaflossen.Wafer Label hëlleft Hiersteller hir Solarversuergungskette ze verfollegen a stabil Qualitéit ze garantéieren.

05 Filmablatioun

Dënn Film Solarzellen vertrauen op Dampdepositioun a Schreiftechnologie fir selektiv verschidde Schichten ofzebauen fir elektresch Isolatioun z'erreechen.All Schicht vum Film muss séier deposéiert ginn ouni aner Schichten vum Substratglas a Silizium ze beaflossen.Direkt Ablatioun féiert zu Circuitschued op d'Glas- a Siliziumschichten, wat zu Batterieausfall féiert.

Fir d'Stabilitéit, d'Qualitéit an d'Uniformitéit vun der Kraaftproduktioun tëscht Komponenten ze garantéieren, muss d'Laserstrahlkraaft suergfälteg fir d'Fabrikatiounsatelier ugepasst ginn.Wann d'Laserkraaft net e gewëssen Niveau erreechen kann, kann de Schreifprozess net ofgeschloss ginn.Ähnlech muss de Strahl d'Kraaft an engem schmuele Beräich halen an e 7 * 24 Stonnen Aarbechtskonditioun an der Versammlungslinn garantéieren.All dës Faktoren stellen ganz strikt Ufuerderunge fir Laserspezifikatiounen vir, a komplex Iwwerwachungsapparater musse benotzt ginn fir de Peak Operatioun ze garantéieren.

Hiersteller benotzen d'Strahlenkraaftmiessung fir de Laser ze personaliséieren an unzepassen fir d'Applikatiounsufuerderungen z'erreechen.Fir héich-Muecht Laser, ginn et vill verschidde Muecht Mooss Handwierksgeschir, an héich-Muecht Detektor kann d'Limite vun Laser ënner speziellen Ëmstänn Paus;Laser benotzt am Glas opzedeelen oder aner Oflagerung Uwendungen verlaangen Opmierksamkeet op déi fein Charakteristiken vun der hëlze, net Muecht.

Wann dënn Film Photovoltaik benotzt gëtt fir elektronesch Materialien ofzebauen, sinn d'Strahlenkarakteristiken méi wichteg wéi d'originell Kraaft.Gréisst, Form a Kraaft spillen eng wichteg Roll bei der Verhënnerung vum Leckstroum vun der Modulbatterie.De Laserstrahl, deen dat deponéierte Photovoltaikmaterial op d'Basisglasplack ablatéiert, brauch och eng fein Upassung.Als e gudde Kontaktpunkt fir d'Fabrikatioun vun Batteriekreesser muss de Strahl all Standarden erfëllen.Nëmme qualitativ héichwäerteg Trägere mat héijer Widderhuelbarkeet kënnen de Circuit korrekt ablaten ouni d'Glas ënnen ze beschiedegen.An dësem Fall ass normalerweis en thermoelektreschen Detektor deen fäeg ass d'Laserstrahlenergie ëmmer erëm ze moossen erfuerderlech.

D'Gréisst vum Laserstrahlzentrum beaflosst säin Ablatiounsmodus a Standuert.D'Ronnheet (oder Ovalitéit) vum Strahl beaflosst d'Schreiflinn, déi op de Solarmodul projizéiert gëtt.Wann d'Schrëftung ongläich ass, verursaache déi onkonsequent Strahlelliptesch Mängel am Solarmodul.D'Form vum ganze Strahl beaflosst och d'Effizienz vun der Silizium dotéiert Struktur.Fir Fuerscher ass et wichteg e Laser mat gudder Qualitéit ze wielen, onofhängeg vun der Veraarbechtungsgeschwindegkeet a Käschten.Wéi och ëmmer, fir d'Produktioun ginn Modus gespaart Laser normalerweis fir kuerz Impulser benotzt fir d'Verdampfung an der Batteriefabrikatioun.

Nei Materialien wéi Perovskite bidden e méi bëllegen a komplett anere Fabrikatiounsprozess vun traditionelle kristallinem Siliziumbatterien.Ee vun de grousse Virdeeler vum Perovskite ass datt et den Impakt vun der Veraarbechtung an der Fabrikatioun vu kristallinem Silizium op d'Ëmwelt reduzéiere kann an d'Effizienz behalen.Am Moment benotzt d'Dampdepositioun vu senge Materialien och Laserveraarbechtungstechnologie.Dofir gëtt an der Photovoltaikindustrie Lasertechnologie ëmmer méi am Dopingprozess benotzt.Photovoltaesch Laser ginn a verschiddene Produktiounsprozesser benotzt.Bei der Produktioun vu kristallinem Silizium Solarzellen gëtt Lasertechnologie benotzt fir Siliziumchips a Randisolatioun ze schneiden.D'Doping vun der Batterierand ass fir Kuerzschluss vun der viischter Elektrode an der Réckelektrode ze vermeiden.An dëser Applikatioun huet Laser Technologie aner traditionell Prozesser komplett iwwerschratt.Et gëtt ugeholl datt et an der Zukunft ëmmer méi Uwendunge vun der Lasertechnologie an der ganzer Photovoltaikindustrie wäert sinn.